概要

以天然高品位石英矿为原料，经多级物理-化学联合提纯（如磁选除铁、焙烧-酸浸、超声波净化等）制得；为晶相结构，化学稳定性极强，耐高温、耐腐蚀、低膨胀、高绝缘，是电子信息产业不可或缺的“基石材料”。

核心特点

- 纯度：SiO₂≥99.995%，关键杂质（Fe、Al、Na、K、Ca、Ti、B、P）严格控至ppb级，总杂质≤50–70 μg/g。

- 低缺陷：羟基（OH⁻）含量低，光学均匀性好，无黑点、杂质点，避免芯片/光纤性能劣化。

- 稳定物性：热稳定性优异，抗析晶；机械强度高、耐磨，适配高温工艺与精密加工。

- 洁净可控：超净包装与生产环境，杜绝二次污染，确保批次一致性。

 主要用途

- 半导体：单晶硅拉制坩埚原料、石英炉管/舟皿、扩散/氧化工艺部件，保障晶圆纯度与良率。

- 光纤通信：光纤预制棒外包层原料，低损耗传输的关键。

- 电子封装：球形硅微粉（D50≈5–15 μm），用于芯片封装、覆铜板，提升散热与尺寸稳定性。

- 高端光学：精密光学玻璃、透镜、光窗，高透光与低双折射。

- 新能源：光伏石英坩埚内层材料，支撑单晶硅棒拉制。

颗粒度与指标

- 常用粒度：80–300 目（约50–180 μm）；下游粉体可至1000–5000 目（D50≈5–15 μm），依工艺定制。

- 纯度标准：SiO₂≥99.995%，总杂质≤50–70 μg/g。

- 关键杂质限值（典型）：Fe＜0.5 ppm、Al＜5 ppm、Na+K+Li＜3 ppm、Ti＜1 ppm、B/P＜0.5 ppm。

- 放射性控制：U、Th＜0.1 ppb，避免半导体软错误。

衡量与检测标准

- 核心标准：参考团体标准《电子级高纯石英砂》T/TMAC XXXX—2025、电子行业标准SJ/T 3228系列。

- 检测方法：- SiO₂含量：氢氟酸溶解-差减法、ICP-OES/XRF。

- 痕量杂质：ICP-MS（测金属/非金属）、GDMS（深度杂质分析）。

- 粒度：激光粒度仪、标准筛分法。

- 外观：洁净无杂质，无黑点/色差。