概要

5N5级半导体高纯石英砂，指SiO₂纯度≥99.9995%的超纯石英原料，是半导体制造领域高等级石英材料之一。

以高品质天然水晶/石英矿为原料，经深度物理提纯+高温氯化脱气+超净处理制备，主要用于制造半导体用高纯石英玻璃制品，支撑晶圆制造全流程高温工艺。

核心特点

-超高纯度

SiO₂≥99.9995%，总杂质含量≤5 μg/g（5ppm），关键碱金属、过渡金属控制在ppb级。

-极低气液包裹体与羟基

低羟基（OH⁻）、低气泡、低内应力，高温下不易析晶、不释放气体污染晶圆。

-高温稳定性

耐高温＞1700℃，耐热冲击、抗蠕变，适配长时间高温扩散、氧化、外延工艺。

-超洁净度

无粉尘、无金属污染、无黑点杂质，满足半导体Fab洁净车间要求。

-高均匀性

晶型稳定、批次一致性好，保证石英器件加工与使用性能稳定。

主要用途

- 半导体8/12英寸晶圆制造用石英坩埚、石英炉管、石英舟、石英支架

- 扩散、氧化、退火、LPCVD、APCVD等高温工艺核心石英部件

- 刻蚀、清洗设备用高纯石英保护件与内衬

- 高端半导体封装用高纯石英玻璃基材

- 第三代半导体（SiC/GaN）高温生长用高纯石英耗材

颗粒度

- 常用颗粒区间：0.1～3.0 mm（块状/颗粒料）

- 超细粉体：10～100 μm，D50 可控

- 部分高端制品用微粉：D50 3～20 μm

根据熔制工艺（气炼/电熔）和制品形态不同，粒度级配可定制。

衡量标准

- 纯度标准（5N5 典型指标）

- SiO₂：≥99.9995%

- 总杂质：≤5 μg/g

- 碱金属（Na+K+Li）：≤100 ppb

- Fe、Ti、Cu、Ni、Cr等重金属：≤50 ppb

- B、P、Al等关键杂质：≤100 ppb

- U、Th 放射性元素：≤0.1 ppb

- 密度：≥2.65 g/cm³

- 莫氏硬度：7

- 灼烧减量：≤0.01%

- 羟基含量：≤10～20 ppm（高端级更低）

检测方法

- 杂质：GDMS、ICP-MS、ICP-OES

- 粒度：激光粒度仪、筛分法

- 洁净度：颗粒计数器、显微镜检测